施敏院士工作站揭牌仪式举行
来源:成电新闻网

近日,美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士、IEEE Fellow施敏工作站揭牌仪式在清水河校区科研楼报告厅举行。副校长胡俊与施敏教授共同揭牌。仪式由光电科学与工程学院党委书记张晓东主持。

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胡俊代表学校欢迎施敏教授来校交流,表示施敏教授在半导体物理与器件领域做出的贡献是华人的骄傲。他说,学校正深入实施“人才强校”战略,全力推进“双一流”建设,希望施敏教授今后在人才培养、科学研究等方面为学校、学院提供更多指导和帮助,助力学校世界一流大学建设。

揭牌仪式结束后,施敏院士做客成电讲坛,结合自己在半导体方面的研究,为同学们带来题为“与数字时代的相遇”的精彩讲座。

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施敏院士以半导体技术为引子,首先提出了Internationalization(国际化)、Information networking(信息联网)、Dominance of science and technology(科学和技术的主导地位)三个话题,并回顾了半导体的发展历史。施敏院士向同学们讲述了他所经历的几个与“数码电子时代”有关的故事和自己的体会。他说,1963年学术界广泛认同的空气介电常数为1,但是他在研究半导体与金属接触面的介电常数时通过实验得出结论——空气介电常数并非准确的1,从而推翻了专家的结论。“这也告诉我们,不要盲从专家的结论。孟子说‘尽信书不如无书’,说的就是这个道理,”

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他还结合与同事合创环宇电子公司的故事,告诉同学们“失之东隅,收之桑榆”,放弃某一方面,可能在另一方面有所成就。他说,当时感觉在国外前途渺茫,于是回到中国台湾与好友一起创建了环宇电子公司,生产出了中国台湾第一台科学用电子计算器,开辟了一条完整的晶体管生产线,并培养了大批电子工业高级管理人才。

谈到人生中最难忘的故事,施敏院士回顾了自己发明浮闸存储器的历程。浮闸存储器是近20年来电子工业的驱动力,开启了数码电子时代,目前应用器件已达400亿件。施敏也被誉为“半导体之父”。他用这个故事告诉大家,要实现自己的目标,就要有一颗好奇心,不断尝试,“苟日新,日日新,又日新”,不断追求完美,就会有所成就。同时做事要有先见及信心,如果认为正确的事,不要因为大多数人反对而改变。

“21世纪是中国的世纪”,施敏院士表示。他提到,唐诗、古典音乐、理论及实验物理等发明著作都有群聚效应,且大约每隔150年都会有一次爆发,所以,电子与信息的发展就在21世纪,这是天时;在20世纪,半导体的重要发明在美国,“地球是圆的,所以21世纪,就该到中国了。”这算是地利;而近五十年半导体器件有关的重要发现及发明都不乏中国人,这算是人和。他认为,中国正处于一个天时、地利、人和的发展阶段。在这个电子工业迅猛发展的时代,中国应该抓住机遇、大展宏图。电子工业的很多尖端技术都是中国人发明的,他希望同学们勇于探索、自强不息,最终实现自己的理想。

本次讲座由大学生文化素质教育中心主办,光电科学与工程学院、信息与软件工程学院承办。


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  施敏(Simon M·Sze),国际知名的微电子科学技术、半导体器件物理专家,美国工程院院士、中国工程院外籍院士。在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NVSM)的发明者,首先发现了崩溃电压与能隙的关系,建立了微电子元件最高电场的指标等。  

  施敏院士在微电子科学技术著作方面举世闻名,对半导体元件的发展和人才培养方面作出了突出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版,其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字,发行量逾百万册;他的著作广泛用作教科书与参考书。